La Loi de Moore est une prédiction faite par l’ingénieur américain Gordon Moore en 1965 selon laquelle le nombre de transistors par puce de silicium double chaque année.
Pour un numéro spécial de la revue Electronics, on a demandé à Moore de prédire l’évolution de la situation au cours de la décennie suivante. Observant que le nombre total de composants dans ces circuits avait à peu près doublé chaque année, il a allègrement extrapolé ce doublement annuel à la décennie suivante, estimant que les microcircuits de 1975 contiendraient le nombre stupéfiant de 65 000 composants par puce. En 1975, alors que le taux de croissance commençait à ralentir, Moore a revu son horizon temporel à deux ans. Sa loi révisée était un peu pessimiste ; sur environ 50 ans à partir de 1961, le nombre de transistors a doublé environ tous les 18 mois. Par la suite, les magazines ont régulièrement fait référence à la loi de Moore comme si elle était inexorable – une loi technologique avec l’assurance des lois du mouvement de Newton.
Cette explosion spectaculaire de la complexité des circuits a été rendue possible par la diminution constante de la taille des transistors au fil des décennies. Mesurées en millimètres à la fin des années 1940, les dimensions d’un transistor typique au début des années 2010 étaient plus couramment exprimées en dizaines de nanomètres (un nanomètre étant un milliardième de mètre) – soit un facteur de réduction de plus de 100 000. Les caractéristiques des transistors mesurant moins d’un micron (un micromètre, soit un millionième de mètre) ont été atteintes dans les années 1980, lorsque les puces de mémoire vive dynamique (DRAM) ont commencé à offrir des capacités de stockage de l’ordre du mégaoctet. À l’aube du XXIe siècle, ces caractéristiques approchent les 0,1 micron de diamètre, ce qui permet la fabrication de puces mémoire de l’ordre du gigaoctet et de microprocesseurs fonctionnant à des fréquences de l’ordre du gigahertz. La loi de Moore s’est poursuivie dans la deuxième décennie du XXIe siècle avec l’introduction de transistors tridimensionnels dont la taille atteint des dizaines de nanomètres.
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